커리어 · 삼성전자 / 공정설계
Q. 마이크론 DRAM PI 입사 후 2년 뒤 국내 메모리 회사 경력 이직 vs 지금 신입 지원
안녕하세요. 마이크론 일본지사에서 선단 DRAM 개발 조직의 PIE (Process Integration Engineer)로 입사 예정입니다. 석사 과정 동안 NAND Flash 소자를 전공하였고, 관련 SCI 논문 3편과 특허를 보유하고 있습니다. 향후 커리어와 관련하여 고민이 있습니다. 장기적으로는 삼성전자나 SK하이닉스의 PIE 직무를 목표로 하고 있으며, DRAM 또는 NAND 분야 모두 고려하고 있습니다. 현재 선택지는 다음 두 가지입니다. - 마이크론 일본지사에 입사하여 DRAM PI 경력을 약 2년 정도 쌓은 뒤, 삼성전자나 SK하이닉스에 경력채용으로 지원 - 마이크론에 입사하지 않고 지금 바로 국내 반도체 기업 신입 전형으로 지원 NAND 소자 전공 기반에서 DRAM PI 경력 2년을 쌓는 것이 국내 메모리 회사 경력채용에 실제로 도움이 되는지, 또는 지금 바로 신입 전형을 준비하는 것이 현실적인 선택인지 조언을 듣고 싶습니다.
2026.03.13
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Q. 직무 고민
안녕하세요. 삼성전자ds 파운드리 공정설계 희망하는 지원자입니다. 우선 제 상황은 아래와 같습니다. 지방국립대/3.85(전체) 3.71(전공)/25.02졸업 토스 im3 TCAD를 활용한 소자 최적화 대학원 동계 인턴(포토 공정, 스퍼터 경험을 했지만 실험적으로 해본 건 아닙니다..) 온라인 반도체 교육 다수 및 렛유인에서 3개월간 진행하는 소자공정 프로젝트(대부분 교육이였고 클린룸 실습과 VR로 장비 체험 정도 하였습니다) 공정실습 3회 PLL회로설계 수상 이후 연구기관에 재직 중인 상태입니다.(현재 6개월) 해당 기관에서는 RF filter 회로설계-레이아웃-공정-측정 과정 하고 있습니다. 설계 툴에 파이썬 접목해서 레아이웃상에서 파라미터 스윕 자동화, 설계-측정 데이터 분석 진행했습니다. 이전부터 공설로 가고 싶어 준비했으나 학부 때 인턴 합격 이후 서류 합격 경험이 없어서 고민이 됩니다. 공정 경험 살려서 공정기술 지원할지 고민입니다.
Q. 삼성전자 1c d램 수율이 현재 어느정도인가요?
기사에 따라 60%, 70% 다 말이 다른 것 같습니다. 1c d램의 경우 아직 최대한으로 수율을 높이지 못한 것이 맞는지 궁금합니다.
Q. 안녕하세요. 파운드리 공정설계 자소서 4번 항목 질문입니다
안녕하세요. 이번에 파운드리고 공정설계 인턴 지원하려는 처음 자소서 써보는 전자과학생입니다. 제가 4번에 내용을 3개쓰면 1개당 디테일이 너무 부족해져서 2개정도 쓸 예정입니다. 일단 메인은 타대 학부연구생을 진행하면 RRAM 공정 레시피를 바꾸어 공정레시피 최적화 한거에 더 나아가 이중층구조를 도입하여 동작전압을 낮춘 것을 넣으려고 합니다. 그리고 서브로 파운드리 공정설계에 SRAM bit cell과 spice경험이 신기하게 있는 것을 봤습니다. 그래서 제가 예전에 연구실에서 8T-SRAM을 cadence virtuoso를 활용하여 직접 설계 및 레이아웃으로 LVS와 DRC를 통해 소자가 초미세화됨에 따라 배선과 tr의 중요성을 엮어서 이런식으로 내용을 써도 될까요? 어떻게 보면 회로설계에 가까운 것 같은데 JD만 보면 공설에도 서브로 활용할 수 있을 것 같아서 여쭤봅니다! 감사합니다!
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